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在半導(dǎo)體和電子行業(yè)的精密制造領(lǐng)域,掃描電子顯微鏡(SEM)是進(jìn)行材料分析和缺陷檢測(cè)的關(guān)鍵工具。而SEM樣品制備的質(zhì)量直接決定了成像的清晰度和數(shù)據(jù)的可靠性。
日本Shinkuu公司推出的MSP-1S磁控離子濺射儀以其性能和針對(duì)性的設(shè)計(jì),成為這一環(huán)節(jié)中不可少的設(shè)備,為行業(yè)提供了高效的解決方案。
MSP-1S是日本Shinkuu公司專(zhuān)門(mén)為鎢燈絲掃描電子顯微鏡樣品制備而設(shè)計(jì)的緊湊型濺射系統(tǒng)。該設(shè)備采用磁控濺射技術(shù),通過(guò)在靶材背面使用強(qiáng)磁鐵促進(jìn)陰極表面層電離,然后利用磁場(chǎng)用離子轟擊靶材以釋放金屬分子,從而在樣品表面形成均勻的金屬薄膜。
這一技術(shù)原理確保了薄膜厚度的一致性和顆粒分布的均勻性,為高質(zhì)量SEM成像奠定了基礎(chǔ)。
核心配置方面,MSP-1S采用了一體化設(shè)計(jì),內(nèi)置真空泵系統(tǒng),簡(jiǎn)化了安裝和操作流程。其真空室含有金-鈀合金靶,同時(shí)支持鉑、Pt-Pd、Au等多種可選靶材,滿(mǎn)足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
該設(shè)備尺寸為20cm×35cm×34cm,重量?jī)H14kg,占地空間小,非常適合實(shí)驗(yàn)室環(huán)境使用。
在半導(dǎo)體制造過(guò)程中,MSP-1S發(fā)揮著至關(guān)重要的質(zhì)量監(jiān)控作用。前道量檢測(cè)是芯片生產(chǎn)的核心環(huán)節(jié),它通過(guò)對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控,確保每一層加工都符合設(shè)計(jì)要求。
MSP-1S制備的樣品能夠支持高達(dá)約50,000倍的高倍率觀察,滿(mǎn)足半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)高分辨率成像的嚴(yán)格要求。
針對(duì)不同類(lèi)型的半導(dǎo)體樣品,MSP-1S具備廣泛的適應(yīng)性:
硅基材料:采用RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗流程(SC1+SC2)后進(jìn)行濺射處理。
化合物半導(dǎo)體:可進(jìn)行低功率氧等離子處理(100W,3min)以?xún)?yōu)化表面特性。
敏感器件:結(jié)合超臨界CO?干燥技術(shù),避免樣品損傷。
MSP-1S通過(guò)提供優(yōu)異的樣品制備質(zhì)量,幫助半導(dǎo)體制造商提升產(chǎn)線良率,減少因缺陷導(dǎo)致的經(jīng)濟(jì)損失(據(jù)估計(jì),產(chǎn)品良率每降低一個(gè)百分點(diǎn),晶圓代工廠商將損失100-800萬(wàn)美元)。
MSP-1S采用磁控濺射技術(shù),與傳統(tǒng)的濺射方法相比具有多項(xiàng)顯著優(yōu)勢(shì)。磁控靶電極的設(shè)計(jì)使離子與靶材碰撞更加高效,噴出的金屬分子分布更為均勻,形成的薄膜顆粒尺寸更小,一致性更高。
設(shè)備配備的風(fēng)冷磁控管靶能有效減少樣品熱損傷,防止靶溫度過(guò)高,這對(duì)于熱敏感樣品尤為重要。
操作簡(jiǎn)便性是MSP-1S的另一大亮點(diǎn)。用戶(hù)只需使用計(jì)時(shí)器設(shè)置涂層時(shí)間,然后按開(kāi)始按鈕即可完成濺射過(guò)程。這種人性化設(shè)計(jì)使得即使是沒(méi)有經(jīng)驗(yàn)的操作人員也能輕松獲得專(zhuān)業(yè)級(jí)的制備效果。
MSP-1S還具備良好的安全性能,采用“O"型密封封閉真空系統(tǒng),頂部陰極和磁偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)連成一體,確保操作安全可靠。
MSP-1S與其他型號(hào)濺射儀的性能對(duì)比如圖所示:
不同型號(hào)濺射儀的性能對(duì)比
在電子顯微鏡分析中,不同的觀察倍率需要不同特性的薄膜材料。MSP-1S支持多種靶材,每種材料適用于特定的觀察場(chǎng)景:
金靶(Au):適用于數(shù)千至10,000倍的低倍率觀察,具有良好的導(dǎo)電性和對(duì)比度
金鈀合金(Au-Pd):適合10,000至50,000倍的觀察范圍,平衡了顆粒細(xì)度和導(dǎo)電性能
鉑靶(Pt):支持50,000至100,000倍的高倍率觀察,顆粒細(xì)膩
鉑鈀合金(Pt-Pd):適用于30,000至50,000倍的觀察,常用于高倍率觀察
鎢靶(W):支持100,000倍以上的超高倍率觀察,粒徑與鋨相當(dāng),適合最高分辨率的SEM觀察
這種針對(duì)性的材料選擇使研究人員能夠根據(jù)具體的觀察需求優(yōu)化樣品制備方案,獲得理想的成像效果。
Shinkuu MSP-1S在半導(dǎo)體和電子行業(yè)的應(yīng)用超越了簡(jiǎn)單的樣品制備工具范疇,它已成為提升產(chǎn)品質(zhì)量和工藝水平的重要支撐。
隨著半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點(diǎn)不斷縮?。壳耙呀咏?納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)),對(duì)檢測(cè)精度的要求日益提高,MSP-1S提供的精密樣品制備能力顯得尤為關(guān)鍵。
在質(zhì)量控制方面,MSP-1S幫助實(shí)現(xiàn)精確的缺陷識(shí)別和分析。通過(guò)制備高質(zhì)量的SEM樣品,工藝工程師能夠準(zhǔn)確識(shí)別晶圓表面的雜質(zhì)顆粒沾污、機(jī)械劃傷和圖案缺陷等問(wèn)題,及時(shí)調(diào)整工藝參數(shù),減少缺陷率。
在研發(fā)創(chuàng)新方面,MSP-1S為新材料和新工藝的開(kāi)發(fā)提供了有力支持。研究人員可以通過(guò)它制備的各種薄膜樣品,進(jìn)行材料表征、界面分析等工作,加速新產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)程。
此外,MSP-1S的操作效率也為企業(yè)帶來(lái)了經(jīng)濟(jì)效益。其快速準(zhǔn)備和簡(jiǎn)易操作減少了樣品制備的時(shí)間成本,提高檢測(cè)工作的整體效率。這對(duì)于需要大量樣品分析的半導(dǎo)體制造環(huán)境來(lái)說(shuō),意味著顯著的時(shí)間節(jié)約和成本降低。